Name: IPT017N10NM5LF2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT017N10NM5LF2ATMA1TR-ND
Price: 6.6878 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 100 V 32A (Ta), 321A (Tc) 3,8W (Ta), 375W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOF-8-1

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IPT017N10NM5LF2ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPT017N10NM5LF2ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPT017N10NM5LF2ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPT017N10NM5LF2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPT017N10NM5LF2ATMA1
Beschreibung	IPT017N10NM5LF2ATMA1
Standardlieferzeit des Herstellers	29 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 32A (Ta), 321A (Tc) 3,8W (Ta), 375W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOF-8-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPT017N10NM5LF2ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,6mOhm bei 150A, 15V
Herst. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 3,9V bei 280µA
Serie OptiMOS™ 5	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 206 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 17000 pF @ 50 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 3,8W (Ta), 375W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 32A (Ta), 321A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-HSOF-8-1
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V, 15V	Gehäuse / Hülle 8-PowerSFN