
IRFB4110PBF | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 448-IRFB4110PBF-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IRFB4110PBF |
Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB |
Standardlieferzeit des Herstellers | 26 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 100 V 120 A (Tc) 370W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IRFB4110PBF Modelle |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 4,5mOhm bei 75A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 210 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 9620 pF @ 50 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 370W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-220AB | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 2,64000 € | 2,64 € |
| 50 | 1,32000 € | 66,00 € |
| 100 | 1,19150 € | 119,15 € |
| 500 | 0,96604 € | 483,02 € |
| 1.000 | 0,89359 € | 893,59 € |
| 2.000 | 0,84826 € | 1.696,52 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 2,64000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 3,14160 € |















