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Marketplace-Produkt
IRFB4227PBF | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 448-IRFB4227PBF-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IRFB4227PBF |
Beschreibung | MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB |
Standardlieferzeit des Herstellers | 12 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 200 V 65 A (Tc) 330W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IRFB4227PBF Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 24mOhm bei 46A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 5V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 98 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±30V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 4600 pF @ 25 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 330W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -40°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-220AB | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Auf Lager: 1.824
Sofort versandbereit
Menge
Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 2,15000 € | 2,15 € |
| 50 | 1,14260 € | 57,13 € |
| 100 | 1,05470 € | 105,47 € |
| 500 | 0,84734 € | 423,67 € |
| 1.000 | 0,78069 € | 780,69 € |
| 2.000 | 0,72465 € | 1.449,30 € |
| 5.000 | 0,71159 € | 3.557,95 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 2,15000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 2,55850 € |
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