Name: IRFB4227PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRFB4227PBF-ND
Price: 2.7965 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 200 V 65 A (Tc) 330W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRFB4227PBF
DigiKey-Teilenr.	448-IRFB4227PBF-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRFB4227PBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 200 V 65 A (Tc) 330W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRFB4227PBF Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 250µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 98 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (Max.) ±30V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4600 pF @ 25 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 330W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -40°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 65 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-220-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IRFB4227
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 24mOhm bei 46A, 10V

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	2,35000 €	2,35 €
50	1,15340 €	57,67 €
100	1,03710 €	103,71 €
500	0,83322 €	416,61 €
1.000	0,76768 €	767,68 €
2.000	0,71258 €	1.425,16 €
5.000	0,65299 €	3.264,95 €
10.000	0,63434 €	6.343,40 €

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