Name: IRFB4110PBFXKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRFB4110PBFXKMA1-ND
Price: 3.4153 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 100 V 120 A (Tc) 370W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB

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IRFB4110PBFXKMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IRFB4110PBFXKMA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRFB4110PBFXKMA1
Beschreibung	TRENCH >=100V
Standardlieferzeit des Herstellers	48 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 120 A (Tc) 370W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 210 nC @ 10 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 9620 pF @ 50 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 370W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 120 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle TO-220-3
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 4,5mOhm bei 75A, 10V

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	2,87000 €	2,87 €
50	1,43300 €	71,65 €
100	1,29330 €	129,33 €
500	1,04858 €	524,29 €
1.000	0,96997 €	969,97 €
2.000	0,90386 €	1.807,72 €
5.000	0,83471 €	4.173,55 €

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