
IPP030N10N3GXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 448-IPP030N10N3GXKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPP030N10N3GXKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 100 V 100 A (Tc) 300W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPP030N10N3GXKSA1 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 275µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 206 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 14800 pF @ 50 V |
Status der Komponente Nicht für Neukonstruktionen | Verlustleistung (max.) 300W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 3mOhm bei 100A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFB4110PBF | Infineon Technologies | 0 | 448-IRFB4110PBF-ND | 2,87000 € | Ähnlich |
| CSD19535KCS | Texas Instruments | 3.693 | 296-37288-5-ND | 4,13000 € | Ähnlich |
| FDP036N10A | onsemi | 2.859 | FDP036N10A-ND | 5,36000 € | Ähnlich |
| FDP047N10 | onsemi | 60 | FDP047N10-ND | 4,61000 € | Ähnlich |
| FDP054N10 | onsemi | 277 | FDP054N10-ND | 5,06000 € | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 5,24000 € | 5,24 € |
| 50 | 2,75400 € | 137,70 € |
| 100 | 2,51450 € | 251,45 € |
| 500 | 2,09506 € | 1.047,53 € |
| 1.000 | 1,96040 € | 1.960,40 € |
| 2.000 | 1,87934 € | 3.758,68 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 5,24000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 6,23560 € |









