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GeneSiC Semiconductor
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Stückpreis : 15,26000 €
Datenblatt
IMZA120R020M1HXKSA1
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IMZA120R040M1HXKSA1

DigiKey-Teilenr.
448-IMZA120R040M1HXKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IMZA120R040M1HXKSA1
Beschreibung
SIC DISCRETE
Standardlieferzeit des Herstellers
26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 55 A (Tc) 227W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4-8
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IMZA120R040M1HXKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
15V, 18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
54,4mOhm bei 19,3A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id
5,2V bei 8,3mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
51 nC @ 18 V
Vgs (Max.)
+20V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1620 pF @ 800 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
227W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO247-4-8
Gehäuse / Hülle
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306,62700 €198,81 €
1205,68008 €681,61 €
5105,63716 €2.874,95 €
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