Name: IMZA120R014M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZA120R014M1HXKSA1-ND
Price: 28.4767 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IMZA120R014M1HXKSA1
DigiKey-Teilenr.	448-IMZA120R014M1HXKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMZA120R014M1HXKSA1
Beschreibung	SIC DISCRETE
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 127A (Tc) 455W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4-8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IMZA120R014M1HXKSA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	127A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V, 18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	18,4mOhm bei 54,3A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	5,2V bei 23,4mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	145 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+20V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4580 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	455W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO247-4-8
Gehäuse / Hülle	TO-247-4

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	23,93000 €	23,93 €
30	15,52767 €	465,83 €
120	15,36342 €	1.843,61 €

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