Name: IMZA120R040M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZA120R040M2HXKSA1-ND
Price: 10.9242 EUR
Availability: InStock

Neues Produkt

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IMZA120R040M2HXKSA1
DigiKey-Teilenr.	448-IMZA120R040M2HXKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMZA120R040M2HXKSA1
Beschreibung	IMZA120R040M2HXKSA1
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 48 A (Tc) 218W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4-8
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	48 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V, 18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	51mOhm bei 18A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	5,1V bei 5,5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	39 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+23V, -7V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1310 pF @ 800 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	218W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO247-4-8
Gehäuse / Hülle	TO-247-4

Fragen und Antworten zum Produkt

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Menge

Alle Preise in EUR

Stange

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	9,18000 €	9,18 €
30	5,47467 €	164,24 €
120	4,66158 €	559,39 €
510	4,48175 €	2.285,69 €

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