Name: IDWD10G200C5XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IDWD10G200C5XKSA1-ND
Price: 11.0908 EUR
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IDWD10G200C5XKSA1
DigiKey-Teilenr.	448-IDWD10G200C5XKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IDWD10G200C5XKSA1
Beschreibung	DIODE SIC 2000V 35A PGTO2472U01
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Dioden 2000 V 35A Durchkontaktierung PG-247-2-U01
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IDWD10G200C5XKSA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Gleichrichter Einzeldioden
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)	2000 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)	35A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If	1.75 V @ 10 A
Geschwindigkeit	Keine Erholzeit > 500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)	0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr	150 µA @ 2 kV
Kapazität bei Vr, F	1140pF bei 1V, 100kHz
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-247-2
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-247-2-U01
Betriebstemperatur - Übergang	-55°C bis 175°C

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