Infineon Technologies Einzeldioden

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Verfügbare Menge
Preis
Serie
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Produktstatus
Technologie
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
Geschwindigkeit
Umkehrerholungszeit (trr)
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
Kapazität bei Vr, F
Klasse
Qualifizierung
Montagetyp
Gehäuse / Hülle
Gehäusetyp vom Lieferanten
Betriebstemperatur - Übergang
SC-79, SOD-523
BAS7002VH6327XTSA1
DIODE SCHOTTKY 70V 70MA PGSC7921
Infineon Technologies
15.601
Vorrätig
1 : 0,19000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03981 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
Schottky
70 V
70mA
1 V @ 15 mA
Kleines Signal =< 200mA (Io), jede Geschwindigkeit
100 ps
100 nA @ 50 V
2pF bei 0V, 1MHz
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
SC-79, SOD-523
PG-SC79-2-1
150°C (max.)
PG-SC79-2
BAS3005B02VH6327XTSA1
DIODE SCHOTTKY 30V 500MA PGSC792
Infineon Technologies
137.795
Vorrätig
1 : 0,24000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,07669 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nur verfügbar bis
Schottky
30 V
500mA
620 mV @ 500 mA
Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)
-
25 µA @ 30 V
10pF bei 5V, 1MHz
-
-
Oberflächenmontage
SC-79, SOD-523
PG-SC79-2
-55°C bis 125°C
PG-SOD323-3D
BAS3010A03WE6327HTSA1
DIODE SCHOTTKY 30V 1A PGSOD3233D
Infineon Technologies
28.177
Vorrätig
1 : 0,32000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,08580 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nur verfügbar bis
Schottky
30 V
1A
470 mV @ 1 A
Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)
-
200 µA @ 30 V
35pF bei 5V, 1MHz
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
SC-76, SOD-323
PG-SOD323-3D
-65°C bis 125°C
PG-SOD323-3D
BAT165E6327HTSA1
DIODE SCHOT 40V 750MA PGSOD3233D
Infineon Technologies
21.414
Vorrätig
1 : 0,32000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,08049 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
Schottky
40 V
750mA
740 mV @ 750 mA
Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)
-
50 µA @ 40 V
12pF bei 10V, 1MHz
-
-
Oberflächenmontage
SC-76, SOD-323
PG-SOD323-3D
150°C (max.)
PG-SC79-2
BAS5202VH6327XTSA1
DIODE SCHOTTKY 45V 750MA PGSC792
Infineon Technologies
467.272
Vorrätig
1 : 0,36000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,06546 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
Schottky
45 V
750mA
600 mV @ 200 mA
Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)
-
10 µA @ 45 V
10pF bei 10V, 1MHz
-
-
Oberflächenmontage
SC-79, SOD-523
PG-SC79-2
150°C (max.)
PG-SOD323-3D
BAT60AE6327HTSA1
DIODE SCHOTTKY 10V 3A PGSOD3233D
Infineon Technologies
76.234
Vorrätig
1 : 0,36000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,08315 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
Schottky
10 V
3A
370 mV @ 1 A
Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)
-
2.6 mA @ 8 V
35pF bei 5V, 1MHz
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
SC-76, SOD-323
PG-SOD323-3D
150°C (max.)
BAS3005S02LRHE6327XTSA1
BAS3010S02LRHE6327XTSA1
DIODE SCHOTTKY 30V 1A PGTSLP217
Infineon Technologies
22.475
Vorrätig
1 : 0,43000 €
Gurtabschnitt (CT)
15.000 : 0,10438 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
Schottky
30 V
1A
650 mV @ 1 A
Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)
-
300 µA @ 30 V
15pF bei 5V, 1MHz
-
-
Oberflächenmontage
SOD-882
PG-TSLP-2-17
-55°C bis 150°C
PG-TO263-3-2
IDB30E120ATMA1
DIODE STD 1200V 50A PGTO26332
Infineon Technologies
614
Vorrätig
1 : 1,80000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.000 : 0,70145 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
Standard
1200 V
50A
2.15 V @ 30 A
Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)
243 ns
100 µA @ 1200 V
-
-
-
Oberflächenmontage
TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
PG-TO263-3-2
-55°C bis 150°C
IDH20G65C6XKSA1
IDH04G65C6XKSA1
DIODE SIL CARB 650V 12A PGTO220
Infineon Technologies
5.344
Vorrätig
1 : 2,04000 €
Stange
-
Stange
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
650 V
12A
1.35 V @ 4 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
14 µA @ 420 V
205pF bei 1V, 1MHz
-
-
Durchkontaktierung
TO-220-2
PG-TO220-2
-55°C bis 175°C
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
IDM02G120C5XTMA1
DIODE SIL CARB 1200V 2A PGTO2522
Infineon Technologies
4.561
Vorrätig
1 : 2,20000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,64859 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
2A
1.65 V @ 2 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
18 µA @ 1200 V
182pF bei 1V, 1MHz
-
-
Oberflächenmontage
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
PG-TO252-2
-55°C bis 175°C
TO-220-2
IDH05G120C5XKSA1
DIODE SIL CARB 1200V 5A PGTO2201
Infineon Technologies
1.085
Vorrätig
1 : 3,48000 €
Stange
Stange
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
5A
1.8 V @ 5 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
33 µA @ 1200 V
301pF bei 1V, 1MHz
-
-
Durchkontaktierung
TO-220-2
PG-TO220-2-1
-55°C bis 175°C
IDH20G65C6XKSA1
IDH10G65C6XKSA1
DIODE SIL CARB 650V 24A PGTO220
Infineon Technologies
2.240
Vorrätig
1 : 3,62000 €
Stange
-
Stange
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
650 V
24A
1.35 V @ 10 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
33 µA @ 420 V
495pF bei 1V, 1MHz
-
-
Durchkontaktierung
TO-220-2
PG-TO220-2
-55°C bis 175°C
TO-220-2
IDH10G120C5XKSA1
DIODE SIC 1.2KV 10A PGTO2201
Infineon Technologies
633
Vorrätig
1 : 4,71000 €
Stange
Stange
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
10A
1.8 V @ 10 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
62 µA @ 1200 V
525pF bei 1V, 1MHz
-
-
Durchkontaktierung
TO-220-2
PG-TO220-2-1
-55°C bis 175°C
IDH20G65C6XKSA1
IDH16G65C6XKSA1
DIODE SIL CARB 650V 34A PGTO220
Infineon Technologies
6.418
Vorrätig
1 : 5,17000 €
Stange
-
Stange
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
650 V
34A
1.35 V @ 16 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
53 µA @ 420 V
783pF bei 1V, 1MHz
-
-
Durchkontaktierung
TO-220-2
PG-TO220-2
-55°C bis 175°C
10-PowerSOP Module
IDDD20G65C6XTMA1
DIODE SIC 650V 51A PGHDSOP101
Infineon Technologies
0
Vorrätig
2.924
Marktplatz
Informationen zur Lieferzeit
1 : 6,10000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.700 : 2,50085 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
97 : 2,73247 €
Lose im Beutel
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Lose im Beutel
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
650 V
51A
-
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
67 µA @ 420 V
970pF bei 1V, 1MHz
-
-
Oberflächenmontage
10-poliges PowerSOP-Modul
PG-HDSOP-10-1
-55°C bis 175°C
IDWD20G120C5XKSA1
IDWD20G120C5XKSA1
DIODE SIC 1.2KV 62A PGTO2472
Infineon Technologies
210
Vorrätig
1 : 7,09000 €
Stange
Stange
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
62A
1.65 V @ 20 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
166 µA @ 1200 V
1368pF bei 1V, 1MHz
-
-
Durchkontaktierung
TO-247-2
PG-TO247-2
-55°C bis 175°C
TO-263-3
IDK20G120C5XTMA1
DIODE SIC 1.2KV 56A PGTO26321
Infineon Technologies
1.295
Vorrätig
1 : 7,61000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.000 : 3,34808 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
56A
1.8 V @ 20 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
-
123 µA @ 1200 V
1050pF bei 1V, 1MHz
-
-
Oberflächenmontage
TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
PG-TO263-2-1
-55°C bis 175°C
PG-TO247-3
IDW40G65C5XKSA1
DIODE SIL CARB 650V 40A PGTO2473
Infineon Technologies
716
Vorrätig
1 : 11,19000 €
Stange
Stange
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
650 V
40A
1.7 V @ 40 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
220 µA @ 650 V
1140pF bei 1V, 1MHz
-
-
Durchkontaktierung
TO-247-3
PG-TO247-3
-55°C bis 175°C
IDWD20G120C5XKSA1
IDWD30G120C5XKSA1
DIODE SIC 1.2KV 87A PGTO2472
Infineon Technologies
640
Vorrätig
1 : 12,05000 €
Stange
Stange
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
87A
1.65 V @ 30 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
248 µA @ 1200 V
1980pF bei 1V, 1MHz
-
-
Durchkontaktierung
TO-247-2
PG-TO247-2
-55°C bis 175°C
IDWD20G120C5XKSA1
IDWD40G120C5XKSA1
DIODE SIC 1.2KV 110A PGTO2472
Infineon Technologies
180
Vorrätig
1 : 13,28000 €
Stange
Stange
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
110A
1.65 V @ 40 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
332 µA @ 1200 V
2592pF bei 1V, 1MHz
-
-
Durchkontaktierung
TO-247-2
PG-TO247-2
-55°C bis 175°C
Disc_D48
D1230N18TXPSA1
DIODE STANDARD 1800V 1230A
Infineon Technologies
46
Vorrätig
1 : 105,89000 €
Tablett
-
Tablett
Aktiv
Standard
1800 V
1230A
1.063 V @ 800 A
Standarderholzeit >500ns, > 200mA (Io)
-
50 mA @ 1800 V
-
-
-
Klemmbar
DO-200AA,A-PUK
-
-40°C bis 180°C
PG-SOT23
BAS70E6327HTSA1
DIODE SCHOTTKY 70V 70MA PGSOT23
Infineon Technologies
22.209
Vorrätig
1 : 0,11000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03715 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
Schottky
70 V
70mA
1 V @ 15 mA
Kleines Signal =< 200mA (Io), jede Geschwindigkeit
100 ps
100 nA @ 50 V
2pF bei 0V, 1MHz
-
-
Oberflächenmontage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
-55°C bis 125°C
PG-SOT23
BAS40E6327HTSA1
DIODE SCHOTTKY 40V 120MA PGSOT23
Infineon Technologies
14.659
Vorrätig
1 : 0,11000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03450 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
Schottky
40 V
120mA
1 V @ 40 mA
Kleines Signal =< 200mA (Io), jede Geschwindigkeit
100 ps
1 µA @ 30 V
5pF bei 0V, 1MHz
-
-
Oberflächenmontage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
-55°C bis 150°C
PG-SOD323-3D
BAT5403WE6327HTSA1
DIODE SCHOT 30V 200MA PGSOD3233D
Infineon Technologies
7.730
Vorrätig
1 : 0,14000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03538 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
Schottky
30 V
200mA
800 mV @ 100 mA
Kleines Signal =< 200mA (Io), jede Geschwindigkeit
5 ns
2 µA @ 25 V
10pF bei 1V, 1MHz
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
SC-76, SOD-323
PG-SOD323-3D
150°C (max.)
PG-SC79-2
BAT5402VH6327XTSA1
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA PGSC792
Infineon Technologies
102.008
Vorrätig
1 : 0,15000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03007 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
Schottky
30 V
200mA
800 mV @ 100 mA
Kleines Signal =< 200mA (Io), jede Geschwindigkeit
5 ns
2 µA @ 25 V
10pF bei 1V, 1MHz
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
SC-79, SOD-523
PG-SC79-2
150°C (max.)
Angezeigt werden
von 659

Typen von Gleichrichterdioden


    Standard-Gleichrichterdioden
  • Standarddioden (Silizium-PN-Übergang) Standarddioden sind die einfachste Art von Gleichrichterdioden aus Silizium mit einem PN-Übergang. Sie werden häufig in AC/DC-Wandlern, bei der Stromgleichrichtung und zum allgemeinen Schaltkreisschutz eingesetzt. Diese Dioden bieten in der Regel einen Durchlassspannungsabfall von etwa 0,7 V und eignen sich am besten für das Schalten mit niedrigen Frequenzen. Ihre Sperrverzögerung (die Zeit, bis sie bei Abschaltung nicht mehr leiten) ist relativ hoch, was ihre Verwendung in Hochgeschwindigkeitsanwendungen einschränkt. Außerdem bieten sie einen geringen Leckstrom in Sperrrichtung, was für Zuverlässigkeit im Dauerbetrieb sorgt.

  • Schottky-Sperrschichtdioden (Schottky Barrier Diodes, SBD)
    Schottky-Dioden (SBD) verfügen über einen Metall-Halbleiter-Übergang anstelle eines herkömmlichen PN-Übergangs, was höhere Schaltgeschwindigkeiten und geringere Durchlassspannungsabfälle ermöglicht – oft zwischen 0,2 V und 0,4 V. Dadurch sind sie ideal für DC/DC-Wandler, hocheffiziente Netzteile und Schaltungen, bei denen die Minimierung der Verlustleistung entscheidend ist. Ein Nachteil von SBDs ist jedoch ihr höherer Leckstrom in Sperrrichtung, insbesondere bei höheren Temperaturen, was bei Präzisions- oder batteriebetriebenen Geräten ein Problem darstellen kann.

  • Super-Sperrschichtgleichrichter (Super Barrier Rectifiers, SBR)
    Super-Sperrschichtgleichrichter (SBR) vereinen die besten Eigenschaften von Standarddioden und Schottky-Dioden. Sie bieten einen niedrigen Durchlassspannungsabfall wie SBDs, jedoch bei einem deutlich geringeren Leckstrom in Sperrrichtung und verbesserter Sperrverzögerung. SBRs eignen sich gut für Schaltnetzteile, Adapter und Automobilelektronik, wo Energieeffizienz und thermische Stabilität wichtig sind. Sie stellen häufig die bessere Wahl als Schottky-Dioden dar, wenn die Anwendung höhere Umgebungstemperaturen oder größere Spannungstransienten mit sich bringt.

  • Avalanche-Dioden
    Avalanche-Dioden sind so konstruiert, dass sie eine zuverlässige Funktion bei Rückwärtsdurchbruch bieten, was heißt, dass sie Strom sicher leiten, sobald eine bestimmte Sperrspannungsschwelle überschritten wird. Im Gegensatz zu Standarddioden, die durch einen Durchbruch beschädigt werden können, sind Avalanche-Dioden so gebaut, dass sie diesem Zustand wiederholt und vorhersehbar standhalten.
  • Bei der schnell schaltenden Gleichrichtung werden Avalanche-Dioden manchmal gegenüber Standard-PN-Dioden bevorzugt, da sie ein besseres Sperrverhalten aufweisen, was die Schaltverluste verringert und den Gesamtwirkungsgrad des Wandlers verbessert. Aufgrund ihrer Fähigkeit, hohen Sperrspannungstransienten ohne Beeinträchtigung standzuhalten, eignen sie sich besonders für Snubber-Schaltungen, Sperrwandler und hart geschaltete Topologien.

  • Siliziumkarbid-(SiC)-Dioden
    SiC-Dioden werden aus Siliziumkarbid hergestellt, einem Material mit breiter Bandlücke, womit sie sehr hohe Spannungen (600 V und mehr) und extreme Temperaturen (>150 °C) unterstützen. Sie eignen sich ideal für industrielle Wandler, Ladegeräte für Elektrofahrzeuge, Solarwechselrichter und Motorantriebe, besonders in Schaltkreisen, die schnelles Schalten und das sofortige Sperren erfordern. Obwohl sie teurer sind als Dioden auf Siliziumbasis, sind sie aufgrund ihrer Langlebigkeit und Effizienz bei hohen Spannungen und Frequenzen oft die beste langfristige Wahl für anspruchsvolle Anwendungen.