Durchkontaktierung Einzeldioden

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Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Verpackung	Produktstatus	Technologie	Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)	Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)	Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If	Geschwindigkeit	Umkehrerholungszeit (trr)	Strom - Sperrleckstrom bei Vr	Kapazität bei Vr, F	Klasse	Qualifizierung	Montagetyp	Gehäuse / Hülle	Gehäusetyp vom Lieferanten	Betriebstemperatur - Übergang
1N4148 DIODE STANDARD 100V 200MA DO35 onsemi	1.038.207 Vorrätig	1 : 0,08000 € Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Aktiv	Standard	100 V	200mA	1 V @ 10 mA	Kleines Signal =< 200mA (Io), jede Geschwindigkeit	4 ns	5 µA @ 75 V	4pF bei 0V, 1MHz	-	-	Durchkontaktierung	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35	-55°C bis 175°C
1N4148TR DIODE STANDARD 100V 200MA DO35 onsemi	679.319 Vorrätig	1 : 0,08000 € Gurtabschnitt (CT) 10.000 : 0,00597 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Aktiv	Standard	100 V	200mA	1 V @ 10 mA	Kleines Signal =< 200mA (Io), jede Geschwindigkeit	4 ns	5 µA @ 75 V	4pF bei 0V, 1MHz	-	-	Durchkontaktierung	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35	-55°C bis 175°C
1N4004 DIODE STANDARD 400V 1A DO204AC Diotec Semiconductor	197.711 Vorrätig	1 : 0,08000 € Gurtabschnitt (CT) 5.000 : 0,02006 € Band & Box (TB)	-	Gurtabschnitt (CT) Band & Box (TB)	Aktiv	Standard	400 V	1A	1.1 V @ 1 A	Standarderholzeit >500ns, > 200mA (Io)	1.5 µs	5 µA @ 400 V	-	-	-	Durchkontaktierung	DO-204AC, DO-41, Axial	DO-204AC (DO-41)	-50°C bis 175°C
1N4007 DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AC Diotec Semiconductor	540.408 Vorrätig	1 : 0,09000 € Gurtabschnitt (CT) 5.000 : 0,02925 € Band & Box (TB)	-	Gurtabschnitt (CT) Band & Box (TB)	Aktiv	Standard	1000 V	1A	1.1 V @ 1 A	Standarderholzeit >500ns, > 200mA (Io)	1.5 µs	5 µA @ 1000 V	-	-	-	Durchkontaktierung	DO-204AC, DO-41, Axial	DO-204AC (DO-41)	-50°C bis 175°C
1N4007-TP DIODE STANDARD 1000V 1A DO41 MCC (Micro Commercial Components)	336.925 Vorrätig	1 : 0,09000 € Gurtabschnitt (CT) 5.000 : 0,02643 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Aktiv	Standard	1000 V	1A	1.1 V @ 1 A	Standarderholzeit >500ns, > 200mA (Io)	2 µs	5 µA @ 1000 V	15pF bei 4V, 1MHz	-	-	Durchkontaktierung	DO-204AL, DO-41, Axial	DO-41	-55°C bis 150°C
1N4001 DIODE STANDARD 50V 1A DO204AC Diotec Semiconductor	75.852 Vorrätig	1 : 0,10000 € Gurtabschnitt (CT) 5.000 : 0,01981 € Band & Box (TB)	-	Gurtabschnitt (CT) Band & Box (TB)	Aktiv	Standard	50 V	1A	1.1 V @ 1 A	Standarderholzeit >500ns, > 200mA (Io)	1.5 µs	5 µA @ 50 V	-	-	-	Durchkontaktierung	DO-204AC, DO-41, Axial	DO-204AC (DO-41)	-50°C bis 175°C
1N4007-G DIODE STANDARD 1000V 1A DO41 Comchip Technology	75.597 Vorrätig	1 : 0,10000 € Gurtabschnitt (CT) 5.000 : 0,02558 € Band & Box (TB)	-	Gurtabschnitt (CT) Band & Box (TB)	Aktiv	Standard	1000 V	1A	1.1 V @ 1 A	Standarderholzeit >500ns, > 200mA (Io)	-	5 µA @ 1000 V	15pF bei 4V, 1MHz	-	-	Durchkontaktierung	DO-204AL, DO-41, Axial	DO-41	-55°C bis 150°C
1N4007G DIODE STANDARD 1000V 1A AXIAL onsemi	143.214 Vorrätig 248.000 Fabrik	1 : 0,11000 € Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Aktiv	Standard	1000 V	1A	1.1 V @ 1 A	Standarderholzeit >500ns, > 200mA (Io)	-	10 µA @ 1000 V	-	-	-	Durchkontaktierung	DO-204AL, DO-41, Axial	Axial	-65°C bis 175°C
1N4004-TP DIODE STANDARD 400V 1A DO41 MCC (Micro Commercial Components)	59.930 Vorrätig	1 : 0,11000 € Gurtabschnitt (CT) 5.000 : 0,02643 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Aktiv	Standard	400 V	1A	1.1 V @ 1 A	Standarderholzeit >500ns, > 200mA (Io)	2 µs	5 µA @ 400 V	15pF bei 4V, 1MHz	-	-	Durchkontaktierung	DO-204AL, DO-41, Axial	DO-41	-55°C bis 150°C
1N4004RLG DIODE STANDARD 400V 1A AXIAL onsemi	111.421 Vorrätig	1 : 0,12000 € Gurtabschnitt (CT) 5.000 : 0,02728 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Aktiv	Standard	400 V	1A	1.1 V @ 1 A	Standarderholzeit >500ns, > 200mA (Io)	-	10 µA @ 400 V	-	-	-	Durchkontaktierung	DO-204AL, DO-41, Axial	Axial	-65°C bis 175°C
1N4007G-T DIODE STANDARD 1000V 1A DO41 Diodes Incorporated	150.152 Vorrätig 345.000 Fabrik	1 : 0,14000 € Gurtabschnitt (CT) 5.000 : 0,04178 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Aktiv	Standard	1000 V	1A	1 V @ 1 A	Standarderholzeit >500ns, > 200mA (Io)	2 µs	5 µA @ 1000 V	8pF bei 4V, 1MHz	-	-	Durchkontaktierung	DO-204AL, DO-41, Axial	DO-41	-65°C bis 175°C
1N4007RLG DIODE STANDARD 1000V 1A AXIAL onsemi	461.182 Vorrätig 240.000 Fabrik	1 : 0,17000 € Gurtabschnitt (CT) 5.000 : 0,02728 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Aktiv	Standard	1000 V	1A	1.1 V @ 1 A	Standarderholzeit >500ns, > 200mA (Io)	-	10 µA @ 1000 V	-	-	-	Durchkontaktierung	DO-204AL, DO-41, Axial	Axial	-65°C bis 175°C
1N5817-T DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO41 Diodes Incorporated	57.269 Vorrätig	1 : 0,19000 € Gurtabschnitt (CT) 5.000 : 0,05682 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Aktiv	Schottky	20 V	1A	450 mV @ 1 A	Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)	-	1 mA @ 20 V	110pF bei 4V, 1MHz	-	-	Durchkontaktierung	DO-204AL, DO-41, Axial	DO-41	-65°C bis 125°C
BY448TR DIODE AVALANCHE 1500V 2A SOD57 Vishay General Semiconductor - Diodes Division	60.399 Vorrätig	1 : 0,22000 € Gurtabschnitt (CT) 5.000 : 0,20271 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Aktiv	Avalanche	1500 V	2A	1.6 V @ 3 A	Standarderholzeit >500ns, > 200mA (Io)	20 µs	3 µA @ 1500 V	-	-	-	Durchkontaktierung	SOD-57, Axial	SOD-57	140°C (max.)
1N5822 DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD STMicroelectronics	18.730 Vorrätig	1 : 0,24000 € Gurtabschnitt (CT) 600 : 0,11168 € Band & Box (TB)	-	Gurtabschnitt (CT) Band & Box (TB)	Nur verfügbar bis	Schottky	40 V	3A	525 mV @ 3 A	Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)	-	2 mA @ 40 V	-	-	-	Durchkontaktierung	DO-201AD, Axial	DO-201AD	150°C (max.)
1N5408G-T DIODE STANDARD 1000V 3A DO201AD Diodes Incorporated	439.893 Vorrätig	1 : 0,24000 € Gurtabschnitt (CT) 1.200 : 0,07673 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Aktiv	Standard	1000 V	3A	1.1 V @ 3 A	Standarderholzeit >500ns, > 200mA (Io)	2 µs	5 µA @ 1000 V	40pF bei 4V, 1MHz	-	-	Durchkontaktierung	DO-201AD, Axial	DO-201AD	-65°C bis 150°C
1N5408G DIODE STANDARD 1000V 3A AXIAL onsemi	28.608 Vorrätig 82.000 Fabrik	1 : 0,25000 € Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Aktiv	Standard	1000 V	3A	1 V @ 3 A	Standarderholzeit >500ns, > 200mA (Io)	-	10 µA @ 1000 V	-	-	-	Durchkontaktierung	DO-201AA, DO-27, Axial	Axial	-65°C bis 150°C
SB1H100-E3/73 DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO204AL Vishay General Semiconductor - Diodes Division	27.839 Vorrätig	1 : 0,27000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,12021 € Band & Box (TB)	-	Gurtabschnitt (CT) Band & Box (TB)	Aktiv	Schottky	100 V	1A	770 mV @ 1 A	Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)	-	1 µA @ 100 V	-	-	-	Durchkontaktierung	DO-204AL, DO-41, Axial	DO-204AL (DO-41)	175°C (max.)
1N5819 DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO41 STMicroelectronics	56.603 Vorrätig	1 : 0,29000 € Gurtabschnitt (CT) 2.000 : 0,06405 € Band & Box (TB)	-	Gurtabschnitt (CT) Band & Box (TB)	Nur verfügbar bis	Schottky	40 V	1A	550 mV @ 1 A	Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)	-	500 µA @ 40 V	-	-	-	Durchkontaktierung	DO-204AL, DO-41, Axial	DO-41	150°C (max.)
UF4007 DIODE STANDARD 1000V 1A DO41 onsemi	34.114 Vorrätig	1 : 0,30000 € Gurtabschnitt (CT) 5.000 : 0,07076 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Aktiv	Standard	1000 V	1A	1.7 V @ 1 A	Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)	75 ns	10 µA @ 1000 V	17pF bei 4V, 1MHz	-	-	Durchkontaktierung	DO-204AL, DO-41, Axial	DO-41	-65°C bis 150°C
1N5408 DIODE STANDARD 1000V 3A DO201 Diotec Semiconductor	21.084 Vorrätig	1 : 0,30000 € Gurtabschnitt (CT) 1.700 : 0,04348 € Band & Box (TB)	-	Gurtabschnitt (CT) Band & Box (TB)	Aktiv	Standard	1000 V	3A	1.2 V @ 3 A	Standarderholzeit >500ns, > 200mA (Io)	1.5 µs	5 µA @ 1000 V	-	-	-	Durchkontaktierung	DO-201AA, DO-27, Axial	DO-201	-50°C bis 175°C
1N4007-E3/54 DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AL Vishay General Semiconductor - Diodes Division	124.322 Vorrätig	1 : 0,30000 € Gurtabschnitt (CT) 5.500 : 0,03495 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Aktiv	Standard	1000 V	1A	1.1 V @ 1 A	Standarderholzeit >500ns, > 200mA (Io)	-	5 µA @ 1000 V	15pF bei 4V, 1MHz	-	-	Durchkontaktierung	DO-204AL, DO-41, Axial	DO-204AL (DO-41)	-50°C bis 150°C
1N5408RLG DIODE STANDARD 1000V 3A AXIAL onsemi	29.665 Vorrätig	1 : 0,30000 € Gurtabschnitt (CT) 1.200 : 0,07332 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Aktiv	Standard	1000 V	3A	1 V @ 3 A	Standarderholzeit >500ns, > 200mA (Io)	-	10 µA @ 1000 V	-	-	-	Durchkontaktierung	DO-201AA, DO-27, Axial	Axial	-65°C bis 150°C
1N5061TR DIODE AVALANCHE 600V 2A SOD57 Vishay General Semiconductor - Diodes Division	58.715 Vorrätig	1 : 0,33000 € Gurtabschnitt (CT) 5.000 : 0,17798 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Aktiv	Avalanche	600 V	2A	1.15 V @ 2.5 A	Standarderholzeit >500ns, > 200mA (Io)	4 µs	1 µA @ 600 V	40pF bei 0V, 1MHz	-	-	Durchkontaktierung	SOD-57, Axial	SOD-57	-55°C bis 175°C
UF4007-E3/54 DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AL Vishay General Semiconductor - Diodes Division	18.024 Vorrätig	1 : 0,38000 € Gurtabschnitt (CT) 5.500 : 0,08866 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Aktiv	Standard	1000 V	1A	1.7 V @ 1 A	Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)	75 ns	10 µA @ 1000 V	17pF bei 4V, 1MHz	-	-	Durchkontaktierung	DO-204AL, DO-41, Axial	DO-204AL (DO-41)	-55°C bis 150°C

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Typen von Gleichrichterdioden

Standard-Gleichrichterdioden

Standarddioden (Silizium-PN-Übergang) Standarddioden sind die einfachste Art von Gleichrichterdioden aus Silizium mit einem PN-Übergang. Sie werden häufig in AC/DC-Wandlern, bei der Stromgleichrichtung und zum allgemeinen Schaltkreisschutz eingesetzt. Diese Dioden bieten in der Regel einen Durchlassspannungsabfall von etwa 0,7 V und eignen sich am besten für das Schalten mit niedrigen Frequenzen. Ihre Sperrverzögerung (die Zeit, bis sie bei Abschaltung nicht mehr leiten) ist relativ hoch, was ihre Verwendung in Hochgeschwindigkeitsanwendungen einschränkt. Außerdem bieten sie einen geringen Leckstrom in Sperrrichtung, was für Zuverlässigkeit im Dauerbetrieb sorgt.

Schottky-Sperrschichtdioden (Schottky Barrier Diodes, SBD)
Schottky-Dioden (SBD) verfügen über einen Metall-Halbleiter-Übergang anstelle eines herkömmlichen PN-Übergangs, was höhere Schaltgeschwindigkeiten und geringere Durchlassspannungsabfälle ermöglicht – oft zwischen 0,2 V und 0,4 V. Dadurch sind sie ideal für DC/DC-Wandler, hocheffiziente Netzteile und Schaltungen, bei denen die Minimierung der Verlustleistung entscheidend ist. Ein Nachteil von SBDs ist jedoch ihr höherer Leckstrom in Sperrrichtung, insbesondere bei höheren Temperaturen, was bei Präzisions- oder batteriebetriebenen Geräten ein Problem darstellen kann.

Super-Sperrschichtgleichrichter (Super Barrier Rectifiers, SBR)
Super-Sperrschichtgleichrichter (SBR) vereinen die besten Eigenschaften von Standarddioden und Schottky-Dioden. Sie bieten einen niedrigen Durchlassspannungsabfall wie SBDs, jedoch bei einem deutlich geringeren Leckstrom in Sperrrichtung und verbesserter Sperrverzögerung. SBRs eignen sich gut für Schaltnetzteile, Adapter und Automobilelektronik, wo Energieeffizienz und thermische Stabilität wichtig sind. Sie stellen häufig die bessere Wahl als Schottky-Dioden dar, wenn die Anwendung höhere Umgebungstemperaturen oder größere Spannungstransienten mit sich bringt.

Avalanche-Dioden
Avalanche-Dioden sind so konstruiert, dass sie eine zuverlässige Funktion bei Rückwärtsdurchbruch bieten, was heißt, dass sie Strom sicher leiten, sobald eine bestimmte Sperrspannungsschwelle überschritten wird. Im Gegensatz zu Standarddioden, die durch einen Durchbruch beschädigt werden können, sind Avalanche-Dioden so gebaut, dass sie diesem Zustand wiederholt und vorhersehbar standhalten.

Siliziumkarbid-(SiC)-Dioden
SiC-Dioden werden aus Siliziumkarbid hergestellt, einem Material mit breiter Bandlücke, womit sie sehr hohe Spannungen (600 V und mehr) und extreme Temperaturen (>150 °C) unterstützen. Sie eignen sich ideal für industrielle Wandler, Ladegeräte für Elektrofahrzeuge, Solarwechselrichter und Motorantriebe, besonders in Schaltkreisen, die schnelles Schalten und das sofortige Sperren erfordern. Obwohl sie teurer sind als Dioden auf Siliziumbasis, sind sie aufgrund ihrer Langlebigkeit und Effizienz bei hohen Spannungen und Frequenzen oft die beste langfristige Wahl für anspruchsvolle Anwendungen.

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