SiC (Silicon Carbide) Schottky Einzeldioden

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Technologie
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
Geschwindigkeit
Umkehrerholungszeit (trr)
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
Kapazität bei Vr, F
Klasse
Qualifizierung
Montagetyp
Gehäuse / Hülle
Gehäusetyp vom Lieferanten
Betriebstemperatur - Übergang
DO-214AA, SMB
GB01SLT06-214
DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA
GeneSiC Semiconductor
26.821
Vorrätig
1 : 1,56000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,96900 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
650 V
1A
2 V @ 1 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
10 µA @ 6.5 V
76pF bei 1V, 1MHz
-
-
Oberflächenmontage
DO-214AA, SMB
DO-214AA
-55°C bis 175°C
TO-220-2
IDH04G65C6XKSA1
DIODE SIL CARB 650V 12A PGTO220
Infineon Technologies
6.045
Vorrätig
1 : 2,35000 €
Stange
-
Stange
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
650 V
12A
1.35 V @ 4 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
14 µA @ 420 V
205pF bei 1V, 1MHz
-
-
Durchkontaktierung
TO-220-2
PG-TO220-2
-55°C bis 175°C
DO-214AA, SMB
GB01SLT12-214
DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 2.5A SMB
GeneSiC Semiconductor
9.435
Vorrätig
1 : 2,47000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 1,61179 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
2,5A
1.8 V @ 1 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
10 µA @ 1200 V
69pF bei 1V, 1MHz
-
-
Oberflächenmontage
DO-214AA, SMB
DO-214AA (SMB)
-55°C bis 175°C
C2D05120A
C3D04060A
DIODE SIL CARB 600V 13.5A TO220
Wolfspeed, Inc.
3.588
Vorrätig
1 : 2,57000 €
Stange
Stange
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
600 V
13,5A
1.8 V @ 4 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
50 µA @ 600 V
251pF bei 0V, 1MHz
-
-
Durchkontaktierung
TO-220-2
TO-220-2
-55°C bis 175°C
DPAK
STPSC406B-TR
DIODE SIL CARBIDE 600V 4A DPAK
STMicroelectronics
2.191
Vorrätig
1 : 2,59000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,77649 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
600 V
4A
1.9 V @ 4 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
50 µA @ 600 V
200pF bei 0V, 1MHz
-
-
Oberflächenmontage
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
DPAK
-40°C bis 175°C
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
C4D02120E-TR
DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2522
Wolfspeed, Inc.
11.483
Vorrätig
1 : 2,72000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,82300 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
10A
1.8 V @ 2 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
50 µA @ 1200 V
167pF bei 0V, 1MHz
-
-
Oberflächenmontage
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
TO-252-2
-55°C bis 175°C
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
C4D02120E
DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2522
Wolfspeed, Inc.
10.482
Vorrätig
1 : 2,76000 €
Stange
Stange
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
10A
1.8 V @ 2 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
50 µA @ 1200 V
167pF bei 0V, 1MHz
-
-
Oberflächenmontage
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
TO-252-2
-55°C bis 175°C
DPAK
STPSC6H065B-TR
DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
STMicroelectronics
5.623
Vorrätig
1 : 2,85000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,86869 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
650 V
6A
1.75 V @ 6 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
60 µA @ 650 V
300pF bei 0V, 1MHz
-
-
Oberflächenmontage
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
DPAK
-40°C bis 175°C
DPAK
STPSC2H12B2Y-TR
DIODE SIL CARBIDE 1200V 5A DPAK
STMicroelectronics
11.865
Vorrätig
1 : 3,00000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,99538 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
5A
1.5 V @ 2 A
Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)
-
12 µA @ 1200 V
190pF bei 0V, 1MHz
-
-
Oberflächenmontage
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
DPAK
-40°C bis 175°C
DO-214AA, SMB
GB02SLT12-214
DIODE SIL CARB 1200V 2A DO214AA
GeneSiC Semiconductor
9.306
Vorrätig
1 : 3,07000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 2,06272 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
2A
1.8 V @ 1 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
50 µA @ 1200 V
131pF bei 1V, 1MHz
-
-
Oberflächenmontage
DO-214AA, SMB
DO-214AA
-55°C bis 175°C
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
IDM05G120C5XTMA1
DIODE SIL CARB 1200V 5A PGTO2522
Infineon Technologies
1.779
Vorrätig
1 : 3,28000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,05006 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
5A
1.8 V @ 5 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
33 µA @ 1200 V
301pF bei 1V, 1MHz
-
-
Oberflächenmontage
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
PG-TO252-2
-55°C bis 175°C
C2D05120A
C3D06060A
DIODE SIL CARB 600V 19A TO220-2
Wolfspeed, Inc.
2.652
Vorrätig
1 : 3,41000 €
Stange
Stange
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
600 V
19A
1.8 V @ 6 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
50 µA @ 600 V
294pF bei 0V, 1MHz
-
-
Durchkontaktierung
TO-220-2
TO-220-2
-55°C bis 175°C
C3D02060F
C3D06060F
DIODE SIC 600V 11.5A TO220-F2
Wolfspeed, Inc.
1.073
Vorrätig
1 : 3,41000 €
Stange
Stange
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
600 V
11,5A
1.8 V @ 6 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
50 µA @ 600 V
294pF bei 0V, 1MHz
-
-
Durchkontaktierung
TO-220-2 voller Pack
TO-220-F2
-55°C bis 175°C
GE12MPS06E
GD10MPS12E
DIODE SIL CARB 1200V 29A TO2522
GeneSiC Semiconductor
8.466
Vorrätig
1 : 3,43000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 2,21623 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
29A
1.8 V @ 10 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
5 µA @ 1200 V
367pF bei 1V, 1MHz
-
-
Oberflächenmontage
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
TO-252-2
-55°C bis 175°C
TO-220-2
GD10MPS12A
DIODE SIL CARB 1200V 25A TO220
GeneSiC Semiconductor
3.429
Vorrätig
1 : 3,73000 €
Stange
Stange
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
25A
1.8 V @ 10 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
5 µA @ 1200 V
367pF bei 1V, 1MHz
-
-
Durchkontaktierung
TO-220-2
TO-220-2
-55°C bis 175°C
D2PAK
STPSC10H065GY-TR
DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
STMicroelectronics
1.263
Vorrätig
1 : 3,84000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.000 : 1,67883 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
650 V
10A
1.75 V @ 10 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
100 µA @ 650 V
480pF bei 0V, 1MHz
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
D2PAK
-40°C bis 175°C
TO-220-2
IDH05G120C5XKSA1
DIODE SIL CARB 1200V 5A PGTO2201
Infineon Technologies
839
Vorrätig
1 : 3,90000 €
Stange
Stange
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
5A
1.8 V @ 5 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
33 µA @ 1200 V
301pF bei 1V, 1MHz
-
-
Durchkontaktierung
TO-220-2
PG-TO220-2-1
-55°C bis 175°C
DPAK
STPSC10H065B-TR
DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
STMicroelectronics
12.190
Vorrätig
1 : 4,25000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,49402 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
650 V
10A
1.75 V @ 10 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
100 µA @ 650 V
480pF bei 0V, 1MHz
-
-
Oberflächenmontage
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
DPAK
-40°C bis 175°C
TO-220-2
IDH10G65C6XKSA1
DIODE SIL CARB 650V 24A PGTO220
Infineon Technologies
863
Vorrätig
1 : 4,30000 €
Stange
-
Stange
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
650 V
24A
1.35 V @ 10 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
33 µA @ 420 V
495pF bei 1V, 1MHz
-
-
Durchkontaktierung
TO-220-2
PG-TO220-2
-55°C bis 175°C
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
IDM10G120C5XTMA1
DIODE SIC 1.2KV 38A PGTO2522
Infineon Technologies
4.209
Vorrätig
1 : 4,65000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,68686 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
38A
1.8 V @ 10 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
62 µA @ 12 V
29pF bei 800V, 1MHz
-
-
Oberflächenmontage
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
PG-TO252-2
-55°C bis 150°C
C2D05120A
C3D10060A
DIODE SIL CARB 600V 30A TO220-2
Wolfspeed, Inc.
1.901
Vorrätig
1 : 4,96000 €
Stange
Stange
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
600 V
30A
1.8 V @ 10 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
50 µA @ 600 V
480pF bei 0V, 1MHz
-
-
Durchkontaktierung
TO-220-2
TO-220-2
-55°C bis 175°C
C3D06060G
C3D10060G
DIODE SIL CARB 600V 29A TO263-2
Wolfspeed, Inc.
953
Vorrätig
1 : 4,96000 €
Stange
Stange
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
600 V
29A
1.8 V @ 10 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
50 µA @ 600 V
480pF bei 0V, 1MHz
-
-
Oberflächenmontage
TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
TO-263-2
-55°C bis 175°C
TO-263-8
GD05MPS17J-TR
DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2637
GeneSiC Semiconductor
1.276
Vorrätig
1 : 5,08000 €
Gurtabschnitt (CT)
800 : 3,71289 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1700 V
15A
1.8 V @ 5 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
20 µA @ 1700 V
361pF bei 1V, 1MHz
-
-
Oberflächenmontage
TO-263-8, D2PAK (7 Pins + Lasche), TO-263CA
TO-263-7
-55°C bis 175°C
TO-247-2
GD05MPS17H
DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2472
GeneSiC Semiconductor
983
Vorrätig
1 : 5,08000 €
Stange
Stange
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1700 V
15A
1.8 V @ 5 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
20 µA @ 1700 V
361pF bei 1V, 1MHz
-
-
Durchkontaktierung
TO-247-2
TO-247-2
-55°C bis 175°C
TO-220-2
IDH10G120C5XKSA1
DIODE SIC 1.2KV 10A PGTO2201
Infineon Technologies
1.125
Vorrätig
1 : 5,16000 €
Stange
Stange
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
10A
1.8 V @ 10 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
62 µA @ 1200 V
525pF bei 1V, 1MHz
-
-
Durchkontaktierung
TO-220-2
PG-TO220-2-1
-55°C bis 175°C
Angezeigt werden
von 1.487

SiC (Silicon Carbide) Schottky Einzeldioden

Produkte in der Familie der Einzelgleichrichterdioden werden verwendet, um den Stromfluss in nur ein Richtung zu gestatten. Sie implementieren exakt eine Instanz dieser Funktion pro Komponentengehäuse. Dioden, die für andere Zwecke verwendet werden (einschließlich Zenerdioden und Dioden mit variabler Kapazität), sind separat in eigenen Produktfamilien aufgeführt. Selbiges gilt für Produkte, die mehrere Dioden pro Komponentengehäuse enthalten.