Niederspannungs-Leistungs-MOSFETs

Die Niederspannungs-Leistungs-MOSFETs (LVMOS) von Toshiba nutzen die neuesten UMOS-Prozesse und sind in verschiedenen Spannungs- und Gehäusevarianten erhältlich, um Anwendungen zu ermöglichen, die einen höheren Strom erfordern. Der Schwerpunkt dieser Prozesse liegt auf 40-V- bis 150-V-MOSFETs für moderne Spannungsschienen wie 12 V, 24 V, 48 V und 96 V.

Der UMOS-Prozess bietet verschiedene Vorteile, wobei sich der neueste UMOS X neben dem Leit- und Schaltverlust auf die Schwellenspannung und den Hochtemperaturbetrieb von +175 °C konzentriert. Bestimmte Produkte sind auch mit einer Hochgeschwindigkeitsdiode ausgestattet, die die Sperrschichtladung und die damit verbundene Verlustleistung beim Schalten reduziert.

Die LVMOS-Produkte von Toshiba werden in vielen Standardgehäusen angeboten, darunter ein- und doppelseitige Gehäuse mit den Maßen 5 mm x 6 mm, die als SOP-Advance und DSOP-Advance bezeichnet werden, sowie das kleinere TSON-Advance-Gehäuse mit den Maßen 3,3 mm x 3,3 mm.