Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

AEC-Q-konforme N-Kanal-Leistungs-MOSFETs im L-TOGL™-Gehäuse

AEC-Q-konforme 40-V-400-A-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs von Toshiba werden in einem L-TOGL-Gehäuse angeboten

Bild der AEC-Q-konformen N-Kanal-Leistungs-MOSFETs von ToshibaDie 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs XPQR3004PB und XPQ1R004PB von Toshiba erreichen einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand, einen hohen Nennstrom und eine hohe Wärmeableitung durch die Kombination eines stark wärmeableitenden L-TOGL-Gehäuses (große Transistorumrisse mit Gullwing-Anschlüssen) mit dem U-MOS IX-H-Chip-Prozess.

Die Größe des L-TOGL-Gehäuses entspricht der des bestehenden TO-220SM(W)-Gehäuses, jedoch wurde bei XPQR3004PB die Einstufung des Stroms erheblich verbessert und der Durchlasswiderstand auf typ. 0,23 mΩ gesenkt. Der optimierte Footprint des L-TOGL-Gehäuses trägt auch zur Verbesserung der thermischen Eigenschaften im Vergleich zum TO-220SM(W)-Gehäuse gleicher Größe bei.

Durch die Kombination dieser Funktionen bieten die Produkte von Toshiba eine hohe Stromstärke und eine hohe Verlustleistung und verbessern damit die Leistungsdichte in einer Vielzahl von Automobilanwendungen.

Merkmale/Funktionen
  • AEC-Q101-konform
  • Niedriger Drain-Source-Durchlasswiderstand:
    • XPQR3004PB RDS(ON) = 0,23 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)
    • XPQ1R004PB RDS(ON) = 0,80 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)
  • Niedriger Leckstrom: IDSS = 10 µA (MAX VDS = 40 V)
  • Anreicherungsmodus: Vth = 2,0 V bis 3,0 V (VDS = 10 V, ID = 1,0 mA)
Anwendungen/Zielmärkte
  • Automobilelektronik
  • Spannungs-Schaltregler
  • Motortreiber
  • DC/DC-Wandler

AEC-Q N-Channel Power MOSFETs in L-TOGL™ Package

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
40V U-MOS IX-H L-TOGL 1.0MOHMXPQ1R004PB,LXHQ40V U-MOS IX-H L-TOGL 1.0MOHM4471 - Sofort$3.11Details anzeigen
40V U-MOS IX-H L-TOGL 0.3MOHMXPQR3004PB,LXHQ40V U-MOS IX-H L-TOGL 0.3MOHM2835 - Sofort$5.98Details anzeigen
Veröffentlicht: 2023-02-27

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