N-Kanal 80 V 34 A (Tc) 630mW (Ta), 57W (Tc) Oberflächenmontage 8-TSON Advance-Gehäuse (3,1x3,1)
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TPN19008QM,LQ

DigiKey-Teilenr.
264-TPN19008QMLQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
264-TPN19008QMLQCT-ND - Gurtabschnitt (CT)
264-TPN19008QMLQDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer
TPN19008QM,LQ
Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 34A 8TSON
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 80 V 34 A (Tc) 630mW (Ta), 57W (Tc) Oberflächenmontage 8-TSON Advance-Gehäuse (3,1x3,1)
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
TPN19008QM,LQ Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
U-MOSX-H
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
34 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
19mOhm bei 17A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3,5V bei 200µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1400 pF @ 40 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
630mW (Ta), 57W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-TSON Advance-Gehäuse (3,1x3,1)
Gehäuse / Hülle
8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
TPN19008
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Menge
Alle Preise in EUR
Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®
Menge Stückpreis Gesamtpreis
11,05000 €1,05 €
100,66300 €6,63 €
1000,43700 €43,70 €
5000,33974 €169,87 €
1.0000,30844 €308,44 €
* Für alle Digi-Reel-Bestellungen wird eine Rollgebühr von 5,50 € erhoben.
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Menge Stückpreis Gesamtpreis
3.0000,26061 €781,83 €
6.0000,24119 €1.447,14 €
9.0000,23130 €2.081,70 €
15.0000,23013 €3.451,95 €
Standardverpackung des Herstellers
Stückpreis ohne MwSt.:1,05000 €
Stückpreis mit MwSt.:1,24950 €