8-PowerVDFN PKG
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TPN1R603PL,L1Q

DigiKey-Teilenr.
TPN1R603PLL1QTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
TPN1R603PLL1QCT-ND - Gurtabschnitt (CT)
TPN1R603PLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer
TPN1R603PL,L1Q
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 80A 8TSON
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 30 V 80 A (Tc) 104W (Tc) Oberflächenmontage 8-TSON Advance-Gehäuse (3,1x3,1)
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
TPN1R603PL,L1Q Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
U-MOSIX-H
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
80 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,6mOhm bei 40A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2,1V bei 300µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3900 pF @ 15 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
104W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-TSON Advance-Gehäuse (3,1x3,1)
Gehäuse / Hülle
8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
TPN1R603
Fragen und Antworten zum Produkt

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Menge
Alle Preise in EUR
Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®
Menge Stückpreis Gesamtpreis
11,21000 €1,21 €
100,76100 €7,61 €
1000,50470 €50,47 €
5000,39456 €197,28 €
1.0000,35909 €359,09 €
2.0000,33830 €676,60 €
* Für alle Digi-Reel-Bestellungen wird eine Rollgebühr von 5,50 € erhoben.
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Menge Stückpreis Gesamtpreis
5.0000,28806 €1.440,30 €
10.0000,27638 €2.763,80 €
Standardverpackung des Herstellers
Stückpreis ohne MwSt.:1,21000 €
Stückpreis mit MwSt.:1,43990 €