Name: TPN11006PL,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPN11006PLLQTR-ND
Price: 1.2138 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TPN11006PL,LQ
DigiKey-Teilenr.	264-TPN11006PLLQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-TPN11006PLLQCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-TPN11006PLLQDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TPN11006PL,LQ
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 26 A (Tc) 610mW (Ta), 61W (Tc) Oberflächenmontage 8-TSON Advance-Gehäuse (3,1x3,1)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSIX-H
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	26 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	11,4mOhm bei 13A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 200µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	17 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1625 pF @ 30 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	610mW (Ta), 61W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-TSON Advance-Gehäuse (3,1x3,1)
Gehäuse / Hülle	8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer	TPN11006