Central Semiconductor silicon carbide N-channel MOSFETs feature ultra-low on-resistance for minimized conduction losses and higher energy efficiency.
AEM
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Die N-Kanal-GaN-FETs von Central Semiconductor sind für Hochfrequenzanwendungen mit hohen Effizienzanforderungen konzipiert.
Die GaN-N-Kanal-FETs von Central Semiconductor eignen sich ideal für die Wechselrichter von Elektrofahrzeugen und Hochleistungsladegeräte zum kabellosen Laden.
Die Schottky-Dioden CFSH01-30L von Central Semiconductor wurden für Anwendungen entwickelt, bei denen extrem kleine Abmessungen und eine niedrige Durchlassspannung zu den Designanforderungen gehören.
Die Strombegrenzungsdioden der Serie CMJD von Central Semiconductor sind in einem flachen DFN123F-Gehäuse untergebracht und behalten einen konstanten Strom über einen breiten Spannungsbereich bei.
Die Schottky-Gleichrichter CMDFSHCx-100 von Central Semiconductor sind ideal für Verpolungsschutz, Aufwärtswandler und allgemeine Gleichrichtungsanwendungen.
Die Vorteile von Logik- und Kleinsignalschaltungen mit MOSFETs gegenüber anderen traditionellen Transistortechnologien.
Die Schottky-Brückengleichrichter von Central Semiconductor sind für Komponenten mit kleinerem und niedrigerem Profil konzipiert.
Die CMSD2004S und CMSD2005S von Central Semiconductor sind zwei in Serie geschaltete Silizium-Schaltdioden, die im epitaxialen planaren Prozess hergestellt werden.
Die Zener-Dioden der Serien CMOZ2V4 und CMOZ1L8 von Central Semiconductor sind hochwertige Spannungsregler im epoxidgeformten ULTRAmini™-SOD-523-Gehäuse.
Die Komponenten CSICD05-1200 und CSICD10-1200 von Central Semiconductor sind 1200-V-Siliziumkarbid-Schottky-Gleichrichter, die für Hochfrequenzsysteme entwickelt wurden, bei denen Energieeffizienz und thermische Performance wesentlich sind.
Central Semiconductor's CDM2206-800LR is an 800 V N-Channel MOSFET designed for high voltage, fast switching applications such as Power Factor Correction (PFC), lighting, and power inverters.

