AEM Central Semiconductor

Oberflächenmontierbarer N-Kanal-GaN-Leistungs-FET

FETs von Central Semiconductor sind für Hochfrequenzanwendungen mit hohen Effizienzanforderungen konzipiert

Abbildung: Oberflächenmontierbarer N-Kanal-GaN-Leistungs-FET von Central SemiconductorDurch die Kombination von Hochspannungsfähigkeit und niedrigem RDS(ON) sind die N-Kanal-GaN-FETs von Central Semiconductor für Hochfrequenzanwendungen mit hohen Effizienzanforderungen geeignet. Diese GaN-FETs werden mit 100 V bei 60 A oder 650 V bei 11 A bzw. 17 A angeboten. Sie sind in einer Vielzahl von flachen oberflächenmontierbaren Gehäusen erhältlich.

Merkmale/Funktionen
  • Hochspannungsfähig: 700 V
  • Niedrige Gateladung und RDS(ON) von minimal 3,2 mΩ
  • Effizientes schnelles Schalten
  • Platzsparende DFN- und CSP-Gehäuse
Anwendungen/Zielmärkte
  • Wechselrichter für alternative Energien
  • Batteriemanagementsysteme (BMS)
  • Hocheffiziente Netzteile
  • Laden von Elektrofahrzeugen

Surface-Mount GaN N-Channel Power FET

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungFET-TypTechnologieDrain-Source-Spannung (Vdss)Verfügbare MengePreisDetails anzeigen
SURFACE MOUNT MOSFETCCSPG1510N TR PBFREESURFACE MOUNT MOSFETN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)150 V2485 - Sofort$8.76Details anzeigen
Veröffentlicht: 2024-09-06