AEM Central Semiconductor

Galliumnitrid-(GaN)-N-Kanal-FETs

FETs von Central Semiconductor sind für weich schaltende Anwendungen mit hohen Effizienzanforderungen konzipiert

Abbildung: Galliumnitrid-(GaN)-N-Kanal-FETs von Central SemiconductorDie GaN-N-Kanal-FETs von Central Semiconductor vereinen Hochspannungsfähigkeit mit niedrigem RDS(ON) und sind für weich schaltende Anwendungen mit hohen Effizienzanforderungen konzipiert. Die platzsparenden DFN- und Chip-Scale-Gehäuse eignen sich ideal für Anwendungen wie Hochleistungsladegeräte zum kabellosen Laden, Leistungsfaktorkorrektur und Wechselrichter in Elektrofahrzeugen. Diese GaN-FETs sind als 100-V-Modell erhältlich, das 60 A unterstützt, oder als 650-V-Modell, das 11 A bzw. 17 A unterstützt. Eine 40-V-Option mit 20 A oder 50 A und Bare Dies sind auf Anfrage erhältlich.

Merkmale/Funktionen

  • Hochspannungsfähig
  • Geringe Gate-Ladung
  • RDS(ON) von minimal 3,2 mΩ
  • Effizientes schnelles Schalten

Gallium Nitride (GaN) N-Channel FETs

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
650V, 11A, N-CHANNEL GAN FET INCDF56G6511N TR13 PBFREE650V, 11A, N-CHANNEL GAN FET IN2242 - Sofort$4.28Details anzeigen
650V, 17A, N-CHANNEL GAN FET INCDF56G6517N TR13 PBFREE650V, 17A, N-CHANNEL GAN FET IN2498 - Sofort$4.91Details anzeigen
100V, 60A, N-CHANNEL CHIP SCALECCSPG1060N TR PBFREE100V, 60A, N-CHANNEL CHIP SCALE1429 - Sofort$4.88Details anzeigen
Veröffentlicht: 2023-12-19