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N-Kanal-MOSFETs aus Siliziumkarbid
Leistungsfähige 1.700-V-SiC-MOSFETs von Central Semiconductor sind für effizienten, zuverlässigen Einsatz in Elektrofahrzeugen und Leistungselektronik optimiert
Die Siliziumkarbid-N-Kanal-MOSFETs von Central Semiconductor sind für schnelles Schalten sowie Anwendungen mit kurzer Sperrverzögerung ausgelegt.
Merkmale/Funktionen
- Extrem niedriger Durchlasswiderstand für minimierte Leitungsverluste und höhere Energieeffizienz
- Niedrige Eingangskapazität für schnelles, frequenzabhängiges Schalten
- Ausgezeichnete thermische Stabilität mit Sperrschicht-Betriebstemperatur von bis zu +175 °C
- Hohe Sperrspannung von 1.700 V in TO-247-Gehäuse für vielseitige Stromversorgungs- und Batteriesystemanwendungen
- Optimierung für effiziente, kostengünstige Leistungselektronik in Elektrofahrzeugen
Anwendungen/Zielmärkte
- Laden von Elektrofahrzeugen
Silicon Carbide N-Channel MOSFETs
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Verfügbare Menge | Preis | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | CDMS24720-170 SL | 1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN | 25 - Sofort | $75.42 | Details anzeigen |
| | CDMS24740-170 SL | 1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN | 24 - Sofort | $30.42 | Details anzeigen |
| | CDMS24780-170 SL | 1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN | 0 - Sofort | $23.06 | Details anzeigen |
| | CDMS24760-170 SL | 1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN | 0 - Sofort | $26.33 | Details anzeigen |
Veröffentlicht: 2025-11-19
Deutschland