IRFBG20 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
Verfügbare Ersatzkomponenten:

Parametrisches Äquivalent


Vishay Siliconix
Vorrätig: 7.306
Stückpreis : 3,31000 €
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Parametrisches Äquivalent


Vishay Siliconix
Vorrätig: 1.450
Stückpreis : 3,31000 €
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IXYS
Vorrätig: 300
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IXYS
Vorrätig: 0
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STMicroelectronics
Vorrätig: 894
Stückpreis : 3,55000 €
Datenblatt
N-Kanal 1000 V 1,4 A (Tc) 54W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRFBG20

DigiKey-Teilenr.
IRFBG20-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRFBG20
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1000 V 1,4 A (Tc) 54W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
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IRFBG20 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
11Ohm bei 840mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
500 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
54W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Fragen und Antworten zum Produkt

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Obsolet
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