SIHP23N60E-GE3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SUP70060E-GE3

DigiKey-Teilenr.
SUP70060E-GE3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SUP70060E-GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 131A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
33 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 100 V 131 A (Tc) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
SUP70060E-GE3 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
7,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
5,8mOhm bei 30A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3330 pF @ 50 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
200W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Fragen und Antworten zum Produkt

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12,43000 €2,43 €
501,20100 €60,05 €
1001,08170 €108,17 €
5000,87238 €436,19 €
1.0000,80512 €805,12 €
2.0000,74858 €1.497,16 €
5.0000,72443 €3.622,15 €
Standardverpackung des Herstellers
Stückpreis ohne MwSt.:2,43000 €
Stückpreis mit MwSt.:2,89170 €