Name: SQ2389CES-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQ2389CES-T1_GE3TR-ND
Price: 0.7378 EUR
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SQ2389CES-T1_GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SQ2389CES-T1_GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SQ2389CES-T1_GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SQ2389CES-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQ2389CES-T1_GE3
Beschreibung	P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSF
Standardlieferzeit des Herstellers	23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 40 V 4,1 A (Tc) 3W (Tc) Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 12 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 455 pF @ 20 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 3W (Tc)
FET-Typ P-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 4,1 A (Tc)	Montagetyp Oberflächenmontage
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-23-3 (TO-236)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 94mOhm bei 3A, 10V	Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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SQ2389CES-T1_BE3	Vishay Siliconix	4.117	742-SQ2389CES-T1_BE3CT-ND	0,72000 €	Parametrisches Äquivalent

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