Name: SQ2325ES-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQ2325ES-T1_GE3TR-ND
Price: 1.0948 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SQ2325ES-T1_GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SQ2325ES-T1_GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SQ2325ES-T1_GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SQ2325ES-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQ2325ES-T1_GE3
Beschreibung	MOSFET P-CH 150V 840MA TO236
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 150 V 840mA (Tc) 3W (Tc) Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SQ2325ES-T1_GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	150 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	840mA (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,77Ohm bei 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	10 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	250 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TA)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	SOT-23-3 (TO-236)
Gehäuse / Hülle	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer	SQ2325