Name: SISS23DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISS23DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.0472 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SISS23DN-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SISS23DN-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SISS23DN-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SISS23DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SISS23DN-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 20 V 50 A (Tc) 4,8W (Ta), 57W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8S
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SISS23DN-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	50 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	1,8V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	4,5mOhm bei 20A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	900mV bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	300 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	8840 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	4,8W (Ta), 57W (Tc)
Betriebstemperatur	-50°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® 1212-8S
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® 1212-8S
Basis-Produktnummer	SISS23