Name: SIJH112E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJH112E-T1-GE3TR-ND
Price: 5.6168 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIJH112E-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIJH112E-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SIJH112E-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SIJH112E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIJH112E-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	29 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 23A (Ta), 225A (Tc) 3,3W (Ta), 333W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 8 x 8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SIJH112E-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	23A (Ta), 225A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,8mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	160 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	8050 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,3W (Ta), 333W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® 8 x 8
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	SIJH112