SIHP23N60E-GE3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHP7N60E-GE3

DigiKey-Teilenr.
SIHP7N60E-GE3-ND
Hersteller
Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer
SIHP7N60E-GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 7 A (Tc) 78W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
SIHP7N60E-GE3 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Vishay Siliconix
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
7 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
600mOhm bei 3,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
680 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
78W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Basis-Produktnummer
SIHP7
Product Questions and Answers

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Menge
Alle Preise in EUR
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Menge Stückpreis Gesamtpreis
11,03000 €1,03 €
100,99800 €9,98 €
1000,96250 €96,25 €
5000,87074 €435,37 €
1.0000,80368 €803,68 €
2.0000,74730 €1.494,60 €
5.0000,74565 €3.728,25 €
Standardverpackung des Herstellers
Hinweis: Aufgrund der Mehrwertdienste von DigiKey kann sich die Verpackungsart ändern, wenn das Produkt in Mengen unterhalb der Standardverpackungsmenge gekauft wird.
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Stückpreis mit MwSt.:1,22570 €