Name: SIHP33N60E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHP33N60E-GE3-ND
Price: 5.4145 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHP33N60E-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIHP33N60E-GE3-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIHP33N60E-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 33A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 33 A (Tc) 278W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SIHP33N60E-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	33 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	99mOhm bei 16,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	150 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3508 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	278W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220AB
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	SIHP33

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Menge

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	4,55000 €	4,55 €
50	2,97480 €	148,74 €
100	2,84470 €	284,47 €
500	2,38744 €	1.193,72 €
1.000	2,35895 €	2.358,95 €

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