Einstellungen
Schnelle Lieferung
Kostenlose Lieferung
Incoterms
Zahlungsmethoden
Marketplace-Produkt
SIHP12N65E-GE3 ist nicht mehr auf Lager, steht aber für die Rückstandsbestellung zur Verfügung.
Verfügbare Ersatzkomponenten:
Ähnlich
Ähnlich
Ähnlich
Ähnlich
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
SIHP12N65E-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SIHP12N65E-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHP12N65E-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 12A TO220AB |
Standardlieferzeit des Herstellers | 20 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 12 A (Tc) 156W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SIHP12N65E-GE3 Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | - | |
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 380mOhm bei 6A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 70 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±30V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 1224 pF @ 100 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 156W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-220AB | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
0 auf Lager
Informationen zur Lieferzeit
Bestandsbenachrichtigung anfordern
Menge
Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 1,03000 € | 1,03 € |
| 10 | 1,01000 € | 10,10 € |
| 100 | 0,96720 € | 96,72 € |
| 500 | 0,87270 € | 436,35 € |
| 1.000 | 0,83302 € | 833,02 € |
| 2.000 | 0,82027 € | 1.640,54 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 1,03000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 1,22570 € |
Deutschland