Name: SIHP12N60E-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHP12N60E-BE3-ND
Price: 3.4986 EUR
Availability: InStock

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SIHP12N60E-BE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIHP12N60E-BE3-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIHP12N60E-BE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 12 A (Tc) 147W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	12 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	380mOhm bei 6A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	58 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	937 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	147W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220AB
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	SIHP12

Fragen und Antworten zum Produkt

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Menge

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	2,94000 €	2,94 €
50	1,47580 €	73,79 €
100	1,33400 €	133,40 €
500	1,08524 €	542,62 €
1.000	1,00534 €	1.005,34 €
2.000	0,93928 €	1.878,56 €

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