Name: SIHG64N65E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHG64N65E-GE3-ND
Price: 14.9464 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHG64N65E-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIHG64N65E-GE3-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIHG64N65E-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 64 A (Tc) 520W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AC
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	64 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	47mOhm bei 32A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	369 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	7497 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	520W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247AC
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	SIHG64

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	12,56000 €	12,56 €
10	8,83000 €	88,30 €
100	6,72790 €	672,79 €
500	6,48712 €	3.243,56 €

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