IRFP254PBF
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHG25N50E-GE3

DigiKey-Teilenr.
SIHG25N50E-GE3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SIHG25N50E-GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 26A TO247AC
Standardlieferzeit des Herstellers
25 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 500 V 26 A (Tc) 250W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AC
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
SIHG25N50E-GE3 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
145mOhm bei 12A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1980 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
250W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247AC
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Fragen und Antworten zum Produkt

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Stange
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252,37480 €59,37 €
1001,95170 €195,17 €
5001,61290 €806,45 €
1.0001,50408 €1.504,08 €
2.0001,49636 €2.992,72 €
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