Name: SIHG186N60EF-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHG186N60EF-GE3-ND
Price: 4.5696 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHG186N60EF-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIHG186N60EF-GE3-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIHG186N60EF-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 8.4A TO247AC
Standardlieferzeit des Herstellers	25 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 8,4 A (Tc) 156W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AC
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	EF
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	8,4 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	193mOhm bei 9,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1081 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	156W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247AC
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	SIHG186

Fragen und Antworten zum Produkt

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Menge

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Stange

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	3,84000 €	3,84 €
25	2,19080 €	54,77 €
100	1,79520 €	179,52 €
500	1,47844 €	739,22 €
1.000	1,37674 €	1.376,74 €
2.000	1,35169 €	2.703,38 €

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