Name: SIHG105N60EF-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHG105N60EF-GE3-ND
Price: 5.3669 EUR
Availability: InStock

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SIHG105N60EF-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIHG105N60EF-GE3-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIHG105N60EF-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
Standardlieferzeit des Herstellers	25 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 29 A (Tc) 208W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AC
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	EF
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	29 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	102mOhm bei 13A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	53 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1804 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	208W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247AC
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	SIHG105

Fragen und Antworten zum Produkt

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1	4,51000 €	4,51 €
10	3,00000 €	30,00 €
100	2,14390 €	214,39 €
500	1,77844 €	889,22 €
1.000	1,67666 €	1.676,66 €

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