Name: SIHD6N80E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHD6N80E-GE3-ND
Price: 2.9393 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHD6N80E-GE3
DigiKey-Teilenr.	SIHD6N80E-GE3-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIHD6N80E-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	25 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 800 V 5,4 A (Tc) 78W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	E
Verpackung	Lose im Beutel
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	5,4 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	940mOhm bei 3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	44 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	827 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	78W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-252AA
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	SIHD6