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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
SIHD6N65E-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SIHD6N65E-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHD6N65E-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 7A DPAK |
Standardlieferzeit des Herstellers | 20 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 7 A (Tc) 78W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SIHD6N65E-GE3 Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | - | |
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 600mOhm bei 3A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 48 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±30V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 820 pF @ 100 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 78W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Oberflächenmontage | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-252AA | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Auf Lager: 2.988
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Menge
Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 1,29000 € | 1,29 € |
| 75 | 0,80013 € | 60,01 € |
| 150 | 0,73673 € | 110,51 € |
| 525 | 0,69627 € | 365,54 € |
| 1.050 | 0,64056 € | 672,59 € |
| 2.025 | 0,59782 € | 1.210,59 € |
| 5.025 | 0,55809 € | 2.804,40 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 1,29000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 1,53510 € |
Deutschland