Name: SIEH4800EW-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIEH4800EW-T1-GE3TR-ND
Price: 6.307 EUR
Availability: InStock

Neues Produkt

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SIEH4800EW-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIEH4800EW-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SIEH4800EW-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SIEH4800EW-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIEH4800EW-T1-GE3
Beschreibung	N-CHANNEL 80 V (D-S) 175 C MOSFE
Standardlieferzeit des Herstellers	7 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 34A (Ta), 381A (Tc) 3,4W (Ta), 417W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 8 x 8 BWL
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	34A (Ta), 381A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	7,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,15mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	278 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	29000 pF @ 40 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,4W (Ta), 417W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® 8 x 8 BWL
Gehäuse / Hülle	8-PowerDFN