Name: NVMTS1D2N08H
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMTS1D2N08HTR-ND
Price: 7.2233 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NVMTS1D2N08H
DigiKey-Teilenr.	488-NVMTS1D2N08HTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 488-NVMTS1D2N08HCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 488-NVMTS1D2N08HDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NVMTS1D2N08H
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 43.5A/337A 8DFNW
Standardlieferzeit des Herstellers	19 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 43,5A (Ta), 337A (Tc) 5W (Ta), 300W (Tc) Oberflächenmontage 8-DFNW (8,3x8,4)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NVMTS1D2N08H Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	43,5A (Ta), 337A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,1mOhm bei 90A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 590µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	147 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	10100 pF @ 40 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	5W (Ta), 300W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-DFNW (8,3x8,4)
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	NVMTS1