Name: SI8817DB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8817DB-T2-E1TR-ND
Price: 0.7497 EUR
Availability: InStock

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SI8817DB-T2-E1
DigiKey-Teilenr.	SI8817DB-T2-E1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI8817DB-T2-E1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI8817DB-T2-E1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI8817DB-T2-E1
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 20 V 2,1 A (Ta) 500mW (Ta) Oberflächenmontage 4-Microfoot
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	2,1 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	1,5V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	76mOhm bei 1A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	19 nC @ 8 V
Vgs (Max.)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	615 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	500mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	4-Microfoot
Gehäuse / Hülle	4-XFBGA
Basis-Produktnummer	SI8817

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