Name: SI8819EDB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8819EDB-T2-E1TR-ND
Price: 0.5712 EUR
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SI8819EDB-T2-E1
DigiKey-Teilenr.	SI8819EDB-T2-E1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI8819EDB-T2-E1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI8819EDB-T2-E1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI8819EDB-T2-E1
Beschreibung	MOSFET P-CH 12V 2.9A 4MICRO FOOT
Standardlieferzeit des Herstellers	13 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 12 V 2,9 A (Ta) 900mW (Ta) Oberflächenmontage 4-MICRO FOOT® (0,8x0,8)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	12 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	2,9 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	1,5V, 3,7V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	80mOhm bei 1,5A, 3,7V
Vgs(th) (max.) bei Id	900mV bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	17 nC @ 8 V
Vgs (Max.)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	650 pF @ 6 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	900mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	4-MICRO FOOT® (0,8x0,8)
Gehäuse / Hülle	4-XFBGA
Basis-Produktnummer	SI8819

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)