Name: SI2333CDS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2333CDS-T1-GE3TR-ND
Price: 1.0472 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SI2333CDS-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI2333CDS-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI2333CDS-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI2333CDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI2333CDS-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
Standardlieferzeit des Herstellers	19 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 12 V 7,1 A (Tc) 1,25W (Ta), 2,5W (Tc) Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SI2333CDS-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	12 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	7,1 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	1,8V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	35mOhm bei 5,1A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	25 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1225 pF @ 6 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1,25W (Ta), 2,5W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	SOT-23-3 (TO-236)
Gehäuse / Hülle	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer	SI2333