Name: SI2319CDS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2319CDS-T1-GE3TR-ND
Price: 0.6188 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SI2319CDS-T1-GE3
Digi-Key-Teilenr.	SI2319CDS-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI2319CDS-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI2319CDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI2319CDS-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 40 V 4,4 A (Tc) 1,25W (Ta), 2,5W (Tc) Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236)
Kundenreferenz
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Gehäuse	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Produktstatus	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	4,4 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	77mOhm bei 3,1A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	21 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	595 pF @ 20 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1,25W (Ta), 2,5W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	SOT-23-3 (TO-236)
Gehäuse / Hülle	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer	SI2319

Dokumente und Medien

Ressourcentyp	Link
Datenblätter	SI2319CDS
Informationen zur Umweltverträglichkeit	Material Compliance Vishay Aluminum Capacitor and Energy Storage REACH
PCN Montage/Herkunft	New Solder Plating Site 18/Apr/2023
Datenblatt (HTML)	SI2319CDS
EDA-Modelle	SI2319CDS-T1-GE3 by Ultra Librarian