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Parametrisches Äquivalent


Vishay Siliconix
Vorrätig: 1.631
Stückpreis : 2,76000 €
Datenblatt
SIHP050N60E-GE3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRL640PBF-BE3

DigiKey-Teilenr.
742-IRL640PBF-BE3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRL640PBF-BE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 17A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 200 V 17 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4V, 5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
180mOhm bei 10A, 5V
Vgs(th) (max.) bei Id
2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
66 nC @ 5 V
Vgs (Max.)
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1800 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
12,76000 €2,76 €
501,38060 €69,03 €
1001,24640 €124,64 €
5001,01116 €505,58 €
1.0000,93556 €935,56 €
2.0000,87203 €1.744,06 €
5.0000,86370 €4.318,50 €
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis ohne MwSt.:2,76000 €
Stückpreis mit MwSt.:3,28440 €