SIHP23N60E-GE3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRFBC20PBF

DigiKey-Teilenr.
IRFBC20PBF-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRFBC20PBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 2.2A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 2,2 A (Tc) 50W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IRFBC20PBF Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
4,4Ohm bei 1,3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
350 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
50W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
12,84000 €2,84 €
501,42140 €71,07 €
1001,28410 €128,41 €
5001,04300 €521,50 €
1.0000,96555 €965,55 €
2.0000,90044 €1.800,88 €
5.0000,89609 €4.480,45 €
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis mit MwSt.:3,37960 €