IRFB18N50K steht für den Kauf zur Verfügung, befindet sich aber normalerweise nicht auf Lager.
Verfügbare Ersatzkomponenten:

Parametrisches Äquivalent


Vishay Siliconix
Vorrätig: 1
Stückpreis : 5,07000 €
Datenblatt

Ähnlich


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Vorrätig: 0
Stückpreis : 1,01822 €
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Rochester Electronics, LLC
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,00000 €
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Vorrätig: 393
Stückpreis : 2,30000 €
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IXYS
Vorrätig: 839
Stückpreis : 5,07000 €
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IXYS
Vorrätig: 214
Stückpreis : 4,88000 €
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STMicroelectronics
Vorrätig: 783
Stückpreis : 4,27000 €
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STMicroelectronics
Vorrätig: 455
Stückpreis : 3,39000 €
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STMicroelectronics
Vorrätig: 799
Stückpreis : 3,26000 €
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Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 995
Stückpreis : 4,37000 €
Datenblatt

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STMicroelectronics
Vorrätig: 776
Stückpreis : 5,04000 €
Datenblatt
SIHP23N60E-GE3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRFB18N50K

DigiKey-Teilenr.
IRFB18N50K-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRFB18N50K
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 17A TO220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 500 V 17 A (Tc) 220W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IRFB18N50K Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
290mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2830 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
220W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Fragen und Antworten zum Produkt

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