TO-220AB
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
TO-220AB
TO-220AB
IR(F,L)x Series Side 2

IRF9510PBF

Digi-Key-Teilenr.
IRF9510PBF-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRF9510PBF
Beschreibung
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
58 Wochen
Detaillierte Beschreibung
P-Kanal 100 V 4 A (Tc) 43W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Kundenreferenz
Datenblatt  Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Auswählen
Kategorie
Herst.
Serie
-
Gehäuse
Stange
Product Status
Aktiv
FET-Typ
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,2Ohm bei 2,4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
8.7 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
200 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
43W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
EigenschaftBeschreibung
RoHS-StatusRoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL)1 (Unbegrenzt)
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
11,14000 €1,14 €
101,02000 €10,20 €
1000,79470 €79,47 €
5000,65652 €328,26 €
1.0000,51830 €518,30 €