Name: IRF9510PBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRF9510PBF-ND
Price: 1.3566 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF9510PBF
Digi-Key-Teilenr.	IRF9510PBF-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	IRF9510PBF
Beschreibung	MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers	58 Wochen
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 100 V 4 A (Tc) 43W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Kundenreferenz
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	-
Gehäuse	Stange
Product Status	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	4 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,2Ohm bei 2,4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	8.7 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	200 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	43W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220AB
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	IRF9510

Medien und Downloads

Ressourcentyp	Link
Datenblätter	IRF9510PBF
Sonstige zugehörige Dokumente	Packaging Information
Videodatei	MOSFET Technologies for Power Conversion
PCN Design/Spezifikation	Mult Dev Material Chg 30/Aug/2019
Datenblatt (HTML)	IRF9510PBF
EDA-/CAD-Modelle	IRF9510PBF by SnapEDA IRF9510PBF by Ultra Librarian