N-Kanal 200 V 9 A (Tc) 74W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
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IRF630PBF

DigiKey-Teilenr.
IRF630PBF-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRF630PBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
15 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 200 V 9 A (Tc) 74W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
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IRF630PBF Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
43 nC @ 10 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
±20V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
800 pF @ 25 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
74W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
400mOhm bei 5,4A, 10V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
12,07000 €2,07 €
501,00340 €50,17 €
1000,90010 €90,01 €
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10.0000,53119 €5.311,90 €
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis mit MwSt.:2,46330 €