Name: IRF630PBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRF630PBF-ND
Price: 2.3324 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF630PBF
DigiKey-Teilenr.	IRF630PBF-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	IRF630PBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 200 V 9 A (Tc) 74W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRF630PBF Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	9 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	400mOhm bei 5,4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	43 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	800 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	74W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220AB
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	IRF630

Fragen und Antworten zum Produkt

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Menge

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	1,96000 €	1,96 €
50	0,95300 €	47,65 €
100	0,85490 €	85,49 €
500	0,68282 €	341,41 €
1.000	0,62750 €	627,50 €
2.000	0,58097 €	1.161,94 €
5.000	0,53981 €	2.699,05 €

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