
IRF610PBF | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IRF610PBF-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IRF610PBF |
Beschreibung | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB |
Standardlieferzeit des Herstellers | 20 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 200 V 3,3 A (Tc) 36W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IRF610PBF Modelle |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | - | |
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 1,5Ohm bei 2A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 8.2 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 140 pF @ 25 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 36W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-220AB | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 1,13000 € | 1,13 € |
| 50 | 0,53140 € | 26,57 € |
| 100 | 0,47210 € | 47,21 € |
| 500 | 0,36808 € | 184,04 € |
| 1.000 | 0,33458 € | 334,58 € |
| 2.000 | 0,30640 € | 612,80 € |
| 5.000 | 0,27590 € | 1.379,50 € |
| 10.000 | 0,25706 € | 2.570,60 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 1,13000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 1,34470 € |








