2N7002E-T1-GE3 Vishay Siliconix | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

2N7002E-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	2N7002E-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 2N7002E-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 2N7002E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	2N7002E-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 240MA TO236
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 240mA (Ta) 350mW (Ta) Oberflächenmontage TO-236
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	240mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	3Ohm bei 250mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	21 pF @ 5 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	350mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-236
Gehäuse / Hülle	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer	2N7002